替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

快科技9月20日消息，据媒体(tǐ)报道，长江存储在(zài)面(miàn)临美国出(chū)口限制和被列入实体清单的(de)双重(zhòng)压力下，已成功采用国产半导(dǎo)体设备替代(dài)部分(fēn)美系设备。

长江存储自研Xtacking架构可让(ràng)3D NAND的(de)层数(shù)堆叠到232层，即使与美光、三星和(hé)SK海力士等知名(míng)制造商相比，也具有极强的竞争优势。

据悉，长江存(cún)储已经(jīng)使用中微半导体设备公司的蚀刻设(shè)备、北(běi)方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆(jīng)科技的沉积设备，成功制造出3D NAND闪存芯片。

TechInsights称，虽然长江(jiāng)存储仍继续(xù)依赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半(bàn)导体设备(bèi)供应商越来越多地承担了生产(chǎn)流程(chéng)的大部分(fēn)。

不过长江存储使用国产(chǎn)设(shè)备生产的最新NAND芯片在堆叠(dié)层数上(shàng)做了相应的妥协，比早期(qī)产品少了约70层，且产量较低(dī)。

对此长江存储在回应(yīng)中表示，公司正在不断优化产品性能，层数变化(huà)与设备产(chǎn)量无关，随(suí)着(zh替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片e)制造工艺、流程及(jí)经验的不(bù)断成熟，会不断增加堆叠层数。

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责任编辑：黑白

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