替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片

替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片>快科技9月20日消息，据媒体报道，长江存储在面临美国出(chū)口限制和被列入实体清单的双重压力下，已成功采用国产半导体设备(bèi)替代部分美系设备。

长江存储(chǔ)自研Xtacking架构可让3D NAND的层数(shù)堆叠到232层(céng)，即使与美(měi)光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也(yě)具有极强的竞争优势。

据悉，长江(jiāng)存储已经(jīng)使用中微半导体(tǐ)设备公司的(de)蚀刻设(shè)备、北方华创的沉积与蚀刻设备，以及拓荆科技(jì)的沉积设备，成 功制造出3D NAND闪存芯片。

TechIns替代部分美系设备成功！长江存储成功用国产设备制造3D NAND芯片ights称，虽然长江存储仍继 续依(yī)赖ASML和泛林集团等外国供应商提供关键工具，但中国国产半
导(dǎo)体设备供应商越来越多地承担了生产流(liú)程的大部分。

不过长江(jiāng)存(cún)储使用国产设备生(shēng)产(chǎn)的最新NAND芯片在堆叠层(céng)数上(shàng)做了相应的妥协(xié)，比早期产品少了约70层，且产量较低。

对此长江存储在回(huí)应中表示，公司正在不断优化产品性(xìng)能，层(céng)数(shù)变化与设备产量无关，随着制造工艺、流程及经(jīng)验的(de)不断成熟，会不断增加堆叠层数。

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